半導體檢測高低溫沖擊試驗箱采用整體式組合結構形式，既試驗箱由位于上部的高溫試驗箱，位于下部的低溫試驗箱體、位于后部的制冷機組柜和位于左側后板上的電器控制柜（系統）所組成。此方式箱體占地面積小、結構緊湊、外形美觀(guān)，制冷機組置于獨立的機組箱體內，以減少制冷機組運行時(shí)的震動(dòng)、噪聲對試驗箱的影響，同時(shí)便于機組的安裝和，電器控制面板置于試驗箱的左側板上以便于運行操作。

技術(shù)參數

1. 溫度范圍：-20℃～200℃（A）、-40℃～200℃(B)、-60℃～200℃(C)；

2. 樣品吊籃：（WDCJ-100）350×350×380、（WDCJ-300）520 ×520×580；

3. 吊籃承重：（WDCJ-100）15Kg、（WDCJ-300）18Kg；

4. 試驗區：①溫度波動(dòng)度±0.5℃（溫度恒定后），②溫度偏差≤3℃；

5. 高低溫區：溫度波動(dòng)度≤±2.0℃；

6. 升溫速率：1.0～3.0℃/min；

7. 降溫速度：0.7～1.0℃/min；

8. 溫度轉換時(shí)間：≤15s（樣品從高溫區到低溫區或從低溫區到高溫區）；

9. 溫度恢復時(shí)間：≤15min

10. 電源電壓：AC380±10%V  50Hz